集成电路器件抗辐射加固设计技术 闫爱斌 科学出版社 PDF电子教材 PDF电子书 大学教材电子版 电子课本 网盘下载(价值129元)【高清非扫描版】(2023年03月)

《集成电路器件抗辐射加固设计技术》闫爱斌 科学出版社 PDF电子教材 PDF电子书 大学教材电子版 电子课本 网盘下载(价值129元)【高清非扫描版】(2023年03月)

集成电路器件抗辐射加固设计技术 闫爱斌 科学出版社 PDF电子教材 PDF电子书 大学教材电子版 电子课本 网盘下载(价值129元)【高清非扫描版】(2023年03月)-高数帮期末不挂科(gaoshubang.com)

图书简介:

本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,详细介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章,分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM 单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容,读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知,了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。

目录:

前言
第1章 绪论 1
1.1 辐射环境 2
1.1.1 自然辐射环境 2
1.1.2 人造辐射环境 6
1.2 辐射效应 6
1.2.1 单粒子效应 6
1.2.2 累积效应 9
1.3 重要概念 9
1.3.1 故障、错误与失效 9
1.3.2 软错误 10
1.4 软错误模型 10
1.4.1 器件级模型 10
1.4.2 电路级模型 11
1.5 电子设计自动化仿真工具 12
1.5.1 Synopsys HSPICE 12
1.5.2 Cadence Virtuoso 13
1.6 基于RHBD技术的集成电路器件存在的问题 14
1.7 本章小结 14
第2章 常用的抗辐射加固设计技术及组件 15
2.1 常用的抗辐射加固设计技术 15
2.1.1 空间冗余技术 15
2.1.2 时间冗余技术 16
2.2 常用的抗辐射加固组件 18
2.2.1 C单元 18
2.2.2 1P2N和2P1N单元 21
2.2.3 DICE单元 22
2.2.4 施密特反相器 24
2.3 抗辐射能力的定义 25
2.4 本章小结 27
第3章 表决器的抗辐射加固设计技术 28
3.1 传统的表决器设计 28
3.2 基于多级C单元的表决器设计 29
3.2.1 电路结构与工作原理 30
3.2.2 实验验证与对比分析 37
3.3 基于电流竞争的表决器设计 39
3.3.1 电路结构与工作原理 40
3.3.2 表决器的应用 42
3.3.3 实验验证与对比分析 46
3.4 本章小结 56
第4章 锁存器的抗辐射加固设计技术 57
4.1 未加固的标准静态锁存器设计 57
4.2 经典的抗辐射加固锁存器设计 58
4.2.1 抗单节点翻转的锁存器设计 58
4.2.2 抗双节点翻转的锁存器设计 62
4.2.3 抗三节点翻转的锁存器设计 70
4.2.4 过滤SET脉冲的锁存器设计 74
4.3 单节点翻转自恢复的RFC锁存器设计 79
4.3.1 电路结构与工作原理 79
4.3.2 实验验证与对比分析 80
4.4 抗双/三节点翻转的锁存器设计 85
4.4.1 HSMUF双容锁存器 86
4.4.2 基于浮空点的双容锁存器 89
4.4.3 超低开销的LCDNUT/LCTNUT锁存器 96
4.4.4 恢复能力增强的DNUCT/TNUCT锁存器 102
4.4.5 完全三恢的锁存器 110
4.5 过滤SET脉冲的锁存器设计 111
4.5.1 PDFSR锁存器 111
4.5.2 RFEL锁存器 116
4.6 本章小结 126
第5章 主从触发器的抗辐射加固设计技术 127
5.1 未加固的主从触发器设计 127
5.2 经典的抗辐射加固主从触发器设计 128
5.3 抗节点翻转主从触发器设计 130
5.3.1 电路结构与工作原理 130
5.3.2 实验验证与对比分析 134
5.4 本章小结 145
第6章 SRAM单元的抗辐射加固设计技术 146
6.1 未加固的SRAM存储单元设计 146
6.1.1 6TSRAM 146
6.1.2 8TSRAM 148
6.2 经典的抗辐射加固SRAM存储单元设计 149
6.2.1 抗单节点翻转的SRAM存储单元设计 149
6.2.2 抗双节点翻转的16T SRAM存储单元设计 163
6.3 抗单节点翻转的SRAM存储单元设计 164
6.3.1 QCCM10T/QCCM12T SRAM 164
6.3.2 QCCS/SCCS SRAM 173
6.3.3 SRS14T/SESRS SRAM 183
6.4 抗双节点翻转的SRAM存储单元设计 193
6.4.1 电路结构与工作原理 193
6.4.2 实验验证与对比分析 200
6.5 本章小结 206
参考文献 207

高数帮期末不挂科(gaoshubang.com):专注提供大学考试期末不挂科网课视频,课程适用期末/补考/重修的大学生们。猴博士爱讲课不挂科、蜂考高斯课堂不挂科、高数叔不挂科、高数帮不挂科、斐多课堂不挂科,学霸戴你飞不挂科全套网课视频课程。
高数帮期末不挂科(gaoshubang.com) » 集成电路器件抗辐射加固设计技术 闫爱斌 科学出版社 PDF电子教材 PDF电子书 大学教材电子版 电子课本 网盘下载(价值129元)【高清非扫描版】(2023年03月)

常见问题FAQ

本站PDF电子教材/电子书版本标注说明
【高清原版 非扫描版】:非扫描,高清原版品质,文字可编辑 。
【高清非扫描版】:非扫描,高清品质,文字不可编辑。
已经购买的资源,有效期是多久?
账号内已购资源:百度网盘分享,永久有效,不过期。
网盘链接地址失效了怎么办?
本站学习资源因防盗链原因,每次生成链接有效期一般为30天,如遇链接地址过期失效, 请联系网站在线QQ客服并提供失效资源链接地址,工作时间内我们看到后将第一时间回复。
遇到付款失败,付款后没有生效怎么办?
理论上来说正常付款后不会出现此类问题,但是也会有部分用户因为网络等原因导致在付款的过程中会有一些小插曲。如果出现类似问题,大可不必惊慌,本站所有支付都会生成订单,不管成功还是失败,所以如果真正遇到网络问题导致付款失败您又不知道是否成功时,请提供 "付款凭证+个人中心用户名" 截图给在线QQ客服处理。
是否可以提供发票?
本站提供的知识付费课程、电子教材、期刊杂志、艺术名画等内容均为虚拟服务,不提供任何形式的发票。